描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor | 最大直流电集电极电流 | 1 A |
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直流集电极/Base Gain hfe Min | 135 | 配置 | Single |
最大工作频率 | 160 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-92 |
封装 | Ammo | 集电极连续电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 0.75 W |
【Fairchild Semiconductor】KSD1616GBU,TRANSISTOR NPN 50V 1A TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSD1616GTA,TRANSISTOR NPN 50V 1A TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSD1616GTA_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor
【Fairchild Semiconductor】KSD1616LBU,TRANSISTOR NPN 50V 1A TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSD1616LPWD,TRANSISTOR NPN 50V 1A TO-92