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KSD1616AYTA_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor最大直流电集电极电流1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min135配置Single
最大工作频率160 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Ammo集电极连续电流1 A
最小工作温度- 55 C功率耗散0.75 W

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