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KSH30CTF

描述Transistors Bipolar (BJT)直流集电极/Base Gain hfe Min40 at 0.2 A at 4 V
配置Single最大工作频率3 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体DPAK封装Reel
最小工作温度- 65 C功率耗散1560 mW

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