| 描述 | Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial Darlington | 集电极—基极电压 VCBO | 50 V |
|---|---|---|---|
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A | 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
| 功率耗散 | 625 mW | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-92 |
| 封装 | Bulk | 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 10000 |
【Fairchild Semiconductor】KSP26TA,TRANSISTOR NPN 50V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP27BU,TRANSISTOR NPN 60V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP27BU_Q,Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
【Fairchild Semiconductor】KSP27TA,TRANSISTOR NPN 60V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP2907ABU,TRANSISTOR PNP 60V 600MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP2907ACBU,TRANSISTOR PNP 60V 600MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP2907ACTA,TRANSISTOR PNP 60V 600MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP2907AIUTA,Transistors Bipolar (BJT)