| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) PNP Si Transistor Epitaxial | 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 50 | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 50 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-92 |
| 封装 | Ammo | 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 功率耗散 | 625 mW |
【Fairchild Semiconductor】KSP56TF,TRANSISTOR PNP 80V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP62BU,TRANS DARL PNP 20V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP62BU_Q,Transistors Darlington PNP Si Transistor Epitaxial Darlington
【Fairchild Semiconductor】KSP62TA,TRANS DARL PNP 20V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP62TF,TRANS DARL PNP 20V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP63BU,TRANS DARL PNP 30V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP63BU_Q,Transistors Darlington PNP Si Transistor Epitaxial Darlington
【Fairchild Semiconductor】KSP63TA,TRANS DARL PNP 30V 500MA TO-92