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KSP75BU_Q

描述Transistors Darlington PNP Si Transistor Epitaxial Darlington集电极—基极电压 VCBO40 V
最大直流电集电极电流0.5 A最大集电极截止电流0.1 uA
功率耗散625 mW最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Bulk集电极连续电流- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min10000

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