| 描述 | TRANS NPN 25V 350MW SOT23 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
|---|---|---|---|
| 频率 - 转换 | 650MHz | 噪声系数（dB典型值@频率） | - |
| 增益 | - | 功率 - 最大 | 350mW |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 60 @ 4mA，10V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | - |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | KST10MTFTR |
【Fairchild Semiconductor】KST10MTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】KST13MTF,TRANS DARL NPN 30V 300MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】KST13MTF_Q,Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】KST14MTF,TRANS DARL NPN 30V 300MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】KST14MTF_Q,Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial
