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KST24MTF_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial直流集电极/Base Gain hfe Min30 at 8 mA at 10 V
配置Single最大工作频率620 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23-3封装Reel
功率耗散350 mW

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