描述 | Transistors Bipolar (BJT) PNP Si Transistor Epitaxial | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 50 at 10 mA at 1 V |
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配置 | Single | 最大工作频率 | 50 MHz |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-23 | 封装 | Reel |
集电极连续电流 | - 0.5 A | 功率耗散 | 350 mW |
【Fairchild Semiconductor】KST63MTF,TRANSISTOR PNP 30V 500MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】KST63MTF_Q,Transistors Darlington PNP Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】KST64MTF,TRANSISTOR PNP 30V 500MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】KST64MTF_Q,Transistors Darlington PNP Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】KST92MTF,TRANS PNP 300V 350MW SOT23
【Fairchild Semiconductor】KST92MTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Si Transistor Epitaxial