| 描述 | L0806C6R8MDWST | 类型 | 绕线 |
|---|---|---|---|
| 材料 - 磁芯 | - | 电感 | 6.8 μH |
| 容差 | ±20% | 额定电流（安培） | 600 mA |
| 电流 - 饱和 （Isat） | 300mA | 屏蔽 | 无屏蔽 |
| DC 电阻 (DCR) | 350 毫欧 | 不同频率时 Q 值 | - |
| 频率 - 自谐振 | 38MHz | 等级 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C | 电感频率 - 测试 | 7.96 MHz |
| 特性 | - | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 0806（2016 公制） | 供应商器件封装 | 806 |
| 大小 / 尺寸 | 0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm） | 高度 - 安装（最大值） | 0.071"（1.80mm） |
【BI Technologies】L081C101,电阻器网络与阵列 100 OHM 8 PIN 2% LOW C-SIP
【BI Technologies】L081C101LF,电阻器网络与阵列 100 OHM 8 PIN 2% LOW C-SIP
【BI Technologies】L081C102,电阻器网络与阵列 1K OHM 8 PIN 2% LOW C-SIP
【BI Technologies】L081C102LF,电阻器网络与阵列 1K OHM 8 PIN 2% LOW C-SIP
【BI Technologies】L081C103,电阻器网络与阵列 10K OHM 8 PIN 2% LOW C-SIP
