描述 | 电压频率转换及频率电压转换 | 封装 / 箱体 | MDIP |
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封装 | Tube | 线性误差 | +/- 1 %FSR |
安装风格 | Through Hole | 工厂包装数量 | 25 |
偏转方向及偏转幅度大小,可判断出金属类别,并对金属定位。 元器件选择 r1~r7选用1/4w或1/8w碳膜电阻器。 rp1选用带开关的合成膜电位器;rp2选用不带开关的合成膜电位器或可变电阻器。 c1~c5、c7均选用瓷介电容器;c6选用耐压值大于10v的铝电解电容器。 vdi~vd3选用2ap9、2apl0型锗普通二极管或2ak系列的锗开关二极管。 v选用3dg6或s9018型硅npn型晶体管。 ic1和ic2均选用ne555型时基集成电路;ic3选用lm2917n型集成电路。 l1用φ0.49mm的高强度漆包线绕成直径为30cm的线圈(50~140匝),为增加其机械强度,可用开口铝管作支架,再装上手柄作为探测线圈;l2选用tdk色码电感器。 调试方法 电路装配好后,用频率计测量ⅴ发射极的信号频率,然后调节电位器rp1,使信号频率为1khz。若无频率计,也可将v发射极的输出信号送入半导体收音机的低频放大电路进行放大,然后调节电位器rp1,使收音机的声音最刺耳(在调节过程中,会发现rp1有两个位置使声音最刺耳,应选择rp1有效阻值较大的位置 ...
偏转。使用者根据电压表指针的偏转方向及偏转幅度大小,可判断出金属类别,并对金属定位。 元器件选择 rl-r7选用1/4w或1/8w碳膜电阻器。 rpl选用带开关的合成膜电位器;rp2选用不带开关的合成膜电位器或可变电阻器。 cl-c5、c7均选用瓷介电容器;c6选用耐压值大于lov的铝电解电容器。 vdl-vd3选用2ap9、2aplo型锗普通二极管或2ak系列的锗开关二极管。 v选用3dg6或s9018型硅npn型晶体管。 icl和ic2均选用ne555型时基集成电路;ic3选用lm2917n型集成电路。 ll用φ0·49mm的高强度漆包线绕成直径为30mm的线圈 (50-140匝),为增加其机械强度,可用开口铝管作支架,再装上手柄作为探测线圈;l2选用tdk色码电感器。 调试方法 电路装配好后,用频率计测量v发射极的信号频率,然后调节电位器rpl,为lkhz。若无频率计,也可将v发射极的输出信号送人半导体收音机的低频方放大,然后调节电位器rpl,使收音机的声音最刺耳 (在调节过程中,会发现置使声音最刺耳,应选择rpl有效阻值较大的位置)。再调整rr,使电压表p度盘正申("0" ...