| 描述 | PROTOTYPE | Digi-Key Programmable | - |
|---|---|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 9V ~ 14V | 逻辑电压?- VIL，VIH | 2.3V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 3A | 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 118 V | 上升/下降时间（典型值） | 8ns，8ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
