| 描述 | IC GATE DRVR GAN MOSFET | Digi-Key Programmable | Not Verified |
|---|---|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 4.75V ~ 5.25V，6V ~ 18V | 逻辑电压?- VIL，VIH | - |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1.5A，3A | 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 200 V | 上升/下降时间（典型值） | 500ps，500ps |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装，可润湿侧翼 |
| 封装/外壳 | 19-WFQFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | 19-WQFN（3x4） |
