| 描述 | 600-V 50-M GAN FET WITH INTEGRAT | 输出配置 | 半桥 |
|---|---|---|---|
| 应用 | 通用 | 接口 | PWM |
| 负载类型 | 电感，电容性，电阻 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 导通电阻（典型值） | 43 毫欧 | 电流 - 输出/通道 | 1.2A |
| 电流 - 峰值输出 | 1.2A | 电压 - 供电 | 7.5V ~ 18V |
| 电压 - 负载 | 7.5V ~ 18V | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 特性 | 自举电路，闩锁功能，压摆率受控型 | 故障保护 | 过流，超温，UVLO |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 54-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 54-VQFN（12x12） |
