| 描述 | MOSFET 2N-CH 1200V | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-沟道（级联） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3000 欧姆 @ 2mA，2.8V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 10μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 350mW | 工作温度 | -25°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-VFLGA |
| 供应商器件封装 | 6-LFGA（3x3） |
