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LN60A01ES-LF

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：600 V
闸/源击穿电压：15 V
漏极连续电流：0.08 A

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参考价格

数量单价
1￥4.90
25￥4.55
100￥4.21
500￥3.86
1000￥3.45

产品属性

描述	MOSFET 600V, 3 N-Channel FET	电阻汲极/源极 RDS（导通）	190 Ohms
配置	Triple	最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOIC-8
最小工作温度	- 20 C	功率耗散	1.3 W
工厂包装数量	100

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