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  • LND150N3-G-P014

LND150N3-G-P014

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  • 价格:1 : ¥5.41000剪切带(CT)2,000 : ¥4.29295带盒(TB)
  • 系列:-
  • 包装:剪切带(CT)带盒(TB)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30mA(Tj)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1000 欧姆 @ 500μA,0V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10 pF @ 25 VFET 功能耗尽模式
功率耗散(最大值)740mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-92-3
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

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