描述 | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | FET 类型 | N 通道 |
---|---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 500 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30mA(Tj) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 0V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1000 欧姆 @ 500μA,0V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 10 pF @ 25 V | FET 功能 | 耗尽模式 |
功率耗散(最大值) | 740mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |