| 描述 | JFET 2N-CH 60V 8SOIC | FET 类型 | 2 个 N 沟道 |
|---|---|---|---|
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 60 V | 漏源电压（Vdss） | - |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 500 μA @ 20 V | 漏极电流 (Id) - 最大值 | - |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 1 V @ 1 nA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10pF @ 20V |
| 电阻 - RDS(On) | - | 功率 - 最大值 | 400 mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
