| 描述 | IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC | 配置 | 高端 |
|---|---|---|---|
| 输入类型 | 非反相 | 延迟时间 | 450?s |
| 电流 - 峰 | - | 配置数 | 2 |
| 输出数 | 2 | 高端电压 - 最大（自引导启动） | - |
| 电源电压 | 4.5 V ~ 18 V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC | 包装 | 管件 |
【LINEAR TECHNOLOGY】LTC1155IS8#TR,IC DRIVER MOSF HISIDE DUAL 8SOIC
【LINEAR TECHNOLOGY】LTC1155IS8#TRPBF,IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC
【LINEAR TECHNOLOGY】LTC1156CN,IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD 16DIP
【LINEAR TECHNOLOGY】LTC1156CN#PBF,IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD 16DIP
【LINEAR TECHNOLOGY】LTC1156CSW,IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC
【LINEAR TECHNOLOGY】LTC1156CSW#PBF,IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC
【LINEAR TECHNOLOGY】LTC1156CSW#TR,IC DRIVER MOSF HI SD QUAD 16SOIC
【LINEAR TECHNOLOGY】LTC1156CSW#TRPBF,IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC