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  • M25P64-VMF6TP

M25P64-VMF6TP

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述IC FLASH 64MBIT 50MHZ 16SOIC存储器类型闪存 - 或非
存储容量64M(8M x 8)速度50MHz
接口SPI 串行电源电压2.7 V ~ 3.6 V
工作温度-40°C ~ 85°C封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装16-SO W包装带卷 (TR)
其它名称M25P64-VMF6TP-NDM25P64-VMF6TPTR

“M25P64-VMF6TP”技术资料

  • 基于CAN总线的智能电表集中器的设计

    -bus隔离收发器电路,可以将来自can控制器的逻辑电平转换为can总线信号,并具有dc2500v隔离功能。另外,ctm收发器可以选择集成esd保护功能的“t”系列,从而省略外扩的esd保护器件。共模扼流圈t1起着emi增强的功能,用于提高设备的emi能力;共模扼流圈t1的电感参数很重要,选择can-bus专用器件,比如epcos的b82793扼流圈。 2.2 flash接口电路设计 集中器需要对与之相连的每个电表表头采集数据,所以数据量较大,从而对存储有着较高的要求,故选用st的m25p64-vmf6tp。该芯片为64m串行接口闪存,增强数据传输时钟速率为50mhz;读的吞吐量为50mbps;接口为简单的4线spi(串行外围设备接口)接口;深度降功耗模式间断功耗,电流消耗仅为1ua。 m25p64flash芯片,通过spi总线与arm相连。spi总线系统是一种同步串行外设接口,它可以使mcu与各种外围设备以串行方式进行通信以交换信息,一般使用4条线:串行时钟线(scl)、主机输入/从机输出数据线miso(sdo)、主机输出/从机输入数据线mosi(sdi)和低电平有效的从机选择线cs。sp ...

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