M57962L

o80-16n07 vuo105-12n07 vuo36-16n08 vuo82-16n07 psd112/16 psd82/16 psd162/16 skkh72/16e skkh92/16e pd110f160 pd130d160 mdd72-12n1b mdd95-16n1b pd1008a pd10016 pvc75-16 pvc100-16 mcc26/16i0b mcc72/16i0b mcd72-16io1b 光偶和驱动电路 exb841 exb851 m57962l m57972al mf7741l m57959l tf1202 m57950 tlp250 tlp550 tlp559 hp4503 hp4504 pc923 pc922 pc924 pc929 hcpl4506 ...

输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。 5）igbt的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有igbt的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。 2.3 驱动电路的设计 隔离驱动产品大部分是使用光电耦合器来隔离输入的驱动信号和被驱动的绝缘栅，采用厚膜或pcb工艺支撑，部分阻容元件由引脚接入。这种产品主要用于igbt的驱动，因igbt具有电流拖尾效应，所以光耦驱动器无一例外都是负压关断。 m57962l是日本三菱电气公司为驱动igbt设计的厚膜集成电路，实质是隔离型放大器，采用光电耦合方法实现输入与输出的电气隔离，隔离电压高达2 500 v，并配置了短路／过载保护电路。 m57962l可分别驱动600 v／200 a和600 v／400 a级igbt模块，具有很高的性价比。本次课题设计中选用的igbt最大电流400 a考虑其他隔离要求及保护措施，选用了m57962l设计了一种igbt驱动电路。 图1为m57962l内部结构框图，采用光耦实现电气隔离，光耦是快速型的，适合高频开关运行 ...

igbt的损害。l1、l3为共模滤波器，hl1、hl2为电流霍尔元件，其作用为检测主电路的电流值，作为保护电路的输入信号;另外还用到电压霍尔元件，检测电压值，作为保护电路的输入信号和电压反馈信号，组成电压负反馈。采用spwm技术控制的4个igbt进行逆变，输出的交流电经过变压器变压后，再用lc滤波器进行滤波，输出220 v频率可变的交流电。 2.2 驱动与保护电路 图3为驱动电路原理。本系统逆变电路功率器件采用igbt芯片，因此驱动电路选用4片三菱公司生产的驱动模块m57962l。该驱动模块为混合集成电路，将igbt的驱动和过流保护集于一体。图3中m57962l的13脚接dsp的pwml(其他3片m57962l分别接pwm2、pwm3、pwm4)，14脚接地，1、6脚分别接电源。另外，m57962l采用的是低电压驱动，即只有13脚输入负电位时才能驱动m57962l。这样做的优点在于防止出现干扰，当出现干扰波形时，采用低电平驱动的m57962l不能驱动。另外在关断过程中，如果电压变化过大，则会产生擎住现象，使igbt失控，引起上下桥臂直通，因此，采用rc缓冲电路来抑制过电 ...

动 1 200v /300 a的 igbt， 并 且 它 本 身 并 不 提 倡 外 加 功 率 放 大 电 路 ， 另 外 ， 从 图 7中 可 以 看 出 ， 该 类 芯 片 为 单 电 源 供 电 ， igbt的 关 断 负 电 压 信 号 是 由 芯 片 内 部 产 生 的－ 5 v信 号 ， 容 易 受 到 外 部 的 干 扰 。 因 此 对 于 300 a以 上 的 igbt或 者 igbt并 联 时 ， 就 需 要 考 虑 别 的 驱 动 芯 片 ， 比 如 三 菱 公 司 的 m57962l等 。 图 8给 出 了 exb841驱 动 igbt时 ， 过 电 流 情 况 下 的 实 验 波 形 。 可 以 看 出 ， 正 如 前 面 介 绍 过 的 ， 由 于 exb8..series芯 片 内 部 具 备 过 流 保 护 功 能 ， 当 igbt过 流 时 ， 采 用 了 软 关 断 方 式 关 断 igbt， 所 以 igbt中 电 流 是 一 个 较 缓 的 斜 坡 下 降 ， 这 样 一 来 ， igbt关 断 时 的 di/dt明 显 减 少 ， 这 在 一 定 程 ...

流通过单片机实时控制，整个充电系统为反馈控制系统，单片机通过实时检测充电过程中的电流、电压及温度监测整个充电过程，有效地避免了充电过程中过流、过压及过热现象，使充电过程安全稳定地进行。 逆变桥前的空气开关是为了防止电路中出现短路或大电流损坏蓄电池或电子器件。单片机通过检测充电电流、电压及温度与充电前的设定值进行比较，控制输出4路pwm波到4个igbt的栅极，从而控制其集电极到发射极电流通断时间，达到控制输出电压的目的。 由于igbt需隔离驱动，本设计选用了三菱公司ibgt专用驱动芯片m57962l，图2是其应用电路。 由于选用了4只igbt组成全桥逆变器，每个igbt需要一个m57962l芯片驱动，而每个m57662l芯片需要3个电压等级即15v、l0v、5v为其供电，其中5v电压同时为mc9s12xs128单片机供电，本文设计了一款功率为50w的变压器，为单片机及4个m57962l芯片供电，其次级绕组输出3组电压，经整流滤波稳压后，得到上述所需的3个电压。 1.2 充电控制回路 选用飞思卡尔mc9s12xs128单片机作为控制核心进行数据采集和控制，其内部数据存储 ...

流通过单片机实时控制，整个充电系统为反馈控制系统，单片机通过实时检测充电过程中的电流、电压及温度监测整个充电过程，有效地避免了充电过程中过流、过压及过热现象，使充电过程安全稳定地进行。 逆变桥前的空气开关是为了防止电路中出现短路或大电流损坏蓄电池或电子器件。单片机通过检测充电电流、电压及温度与充电前的设定值进行比较，控制输出4路pwm波到4个igbt的栅极，从而控制其集电极到发射极电流通断时间，达到控制输出电压的目的。 由于igbt需隔离驱动，本设计选用了三菱公司ibgt专用驱动芯片m57962l,图2是其应用电路。 由于选用了4只igbt组成全桥逆变器，每个igbt需要一个m57962l芯片驱动，而每个m57662l芯片需要3个电压等级即15v、l0v、5v为其供电，其中5v电压同时为mc9s12xs128单片机供电，本文设计了一款功率为50w的变压器，为单片机及4个m57962l芯片供电，其次级绕组输出3组电压，经整流滤波稳压后，得到上述所需的3个电压。 1.2 充电控制回路 选用飞思卡尔mc9s12xs128单片机作为控制核心进行数据采集和控制，其内部数据存储 ...

如图所示为m57962l的内部结构方框电路。其中igbt（绝缘姗双极晶体管）由于其可靠性高、驱动 简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高的特点，在通用变频器领域igbt 模块已完全取代了 gtr 模块（大功率晶体管），而在各种通用变频器 中igbt 模块的应用充分体现了当今电力电子器件的发展动向。igbt 的技术动向是：采用沟槽结 构，减小通态压降，改善其频率特性；其次采用npt（非穿透）技术实现igbt 的大功率化；再就是充分满足应用需求简化逆变器驱动和保护电路设计，便于并联和安装。高压igbt 的开发和应用有力地促进了大功率电机变频调速及牵引调速传动的发展，其正在不断扩大中压变频调速器应用范围，并使其具有高可靠性和优异的性能价格比。在我们研制的交流逆变器中，最容易损坏的部件是组成逆变桥的igbt,igbt的驱动与保护问题是逆变器能否可靠工作的基础和关键。 来源:bill ...

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求助：m57962l驱动igbt时，决定过流保护时间的电容怎么确定？求助：m57962l驱动igbt时，决定过流保护时间的电容怎么确定？即：m57962l脚2与脚4之间的电容的大小。（m57962l单电源供电） 请高手指教。谢谢谢谢！！！！！！！！！！！ ...

请教igbt及驱动问题请教各位大侠，我用igbt做直流斩波电路，以前是用2mbi75n-060的igbt模块，驱动电路采用的芯片是m57962l， 这样一直都还可以，后来由于想降低成本，我把igbt模块换成了igbt单管，实际上我用单管就足够了，因此换成了ixgh30n60c2d1的igbt单管，可是做实验的时候连续烧了好几块一直找不到原因，从技术参数上看，2mbi75n-060是ic＝75a,uce=600v,（我只用了其中一个管子，） ixgh30n60c2d1是ic＝70a,uce=600v，而m57962l驱动600v的管子是应该没问题的。请教各位大侠能给予帮助，找出原因，谢谢拉！ * - 本贴最后修改时间：2005-5-25 21:55:59 修改者：congbi ...

在哪儿可以找到m57962l和mc33035的详细资料!谢谢!在哪儿可以找到m57962l和mc33035的详细资料!谢谢! ...

igbt就是用作开关使用的我用过的驱动芯片就是m57962l是三菱公司的，好像常用的还有ex什么的，忘记了，igbt开关器件看你具体的通过的电流和电压的大小了，但是57962我买的40一片，在中发。 ...

关于驱动芯片的问题！！！我想用晶闸管搭一个逆变桥路，正在想驱动电路部分～！请问一下用什么样的芯片合适呢～？有专用芯片吗？用于驱动igbt的芯片m57962l可以用在驱动晶闸管上吗？ ...