| 描述 | DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220AC | 电压 - (Vr)（最大） | 45V |
|---|---|---|---|
| 电流 - 平均整流 (Io) | 10A | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 840mV @ 20A |
| 速度 | 快速恢复 = 200mA（Io） | 反向恢复时间(trr) | - |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 100?A @ 45V | 电容@ Vr, F | - |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 供应商设备封装 | TO-220-2 | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | MBR1045OS |
的「最佳分销商大奖」和fairchild semiconductor corporation颁发 的「最佳销售表现奖」，奖项无数，备受赞誉。 目前主要代理美国福斯特first semiconductor 和韩国kec,授权分销美国安森美（onsemi）半导体，经营产品为二极管、三极管、mos管、肖特基、快恢复、可控硅，集成电路 mos管。 热卖型号：2n60 5n60 8n60 10n60 12n60 3n80 8n80 50n06 75n075,mbr10100、mbr20100、mbr1045、mbr2045、mbr20200…… ...
命名，取m b:bridge 桥；barrier:势垒 r:rectifier,整流器 "mbr"意为整流器件 schottky:肖特基 schottky rectifier diodes:肖特基整流二极管。 例如：mbr20100ct m:motorola 缩写m b:barrier1 缩写b r:rectifier 缩写r 20:电流20a 100:电压100v c:表示to-220ab封装，常指半塑封。 t:表示管装 mbr1045ct,其中的"c":表示to-220封装；mbr6045pt,其中的"p":表示to-3p封装 元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如： mbrd10100ct:第四位的d,表示贴片dpak封装 mbrb10100ct:第四位的b,表示贴片d2pak封装 mbrf10100ct:第四位的f,表示to-220全塑封 to-252,也就是贴片dpak封装；to-263,也就是贴片d2pak封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：mbr20100ct,型 ...
产品型号:mbr1045反向重复峰值电压vrrm(max)(v):45平均整流器前向电流io(max)(a):10瞬间前向电压vf(max)@if(v):0.84 @ 20 a非重复峰值浪涌电流ifsm(max)(a):150瞬间反转电流ir(max)(ma):15 @ 125°c封装/温度(℃):3to220ac/-65~150价格/1片(套):￥3.60 来源:xiangxueqin ...
滤波器（c1，l1，c6）并采取合理的接地措施，即可符合有关电磁兼容性的cispr2213国际标准。刚上电时，利用热敏电阻（rt）可对c2的冲击电流加以限制，防止保险丝损坏。压敏电阻（rv）的作用是吸收从电网窜入的浪涌电压。 为减小高频变压器的体积，次级绕组采用堆叠式绕法。辅输出绕组的电位参考点接vd10的负极而不是正极，目的是把高压输出的电压偏差降至最小。次级电压经过vd7～vd11、c7、c9、c11、c13、c16、c14和c17进行整流滤波。vd11为3.3v输出电路中的整流管，选用mbr1045型10a／45v的肖特基二极管，肖特基二极管适于作低压、大电流整流，利用其低压降之特性，可提高电源效率。vd10为5v输出的整流管，采用byv32200型20a／200v的超快恢复二极管。3.3v和5v输出端的两只滤波电容需作并联使用，以减小输出端的纹波电流。后置滤波器由l2～l5、c8′、c10、c12、c15和c18构成。电阻r6可防止30v绕组端在轻载时的峰值充电电流。3.3v输出经r11和r10取样后，接ic3（tl431a）的基准端，通过光耦ic2（ltv817）去调节top246y ...
波器（c1，l1，c6）并采取合理的接地措施，即可符合有关电磁兼容性的cispr2213国际标准。刚上电时，利用热敏电阻（rt）可对c2的冲击电流加以限制，防止保险丝损坏。压敏电阻（rv）的作用是吸收从电网窜入的浪涌电压。 为减小高频变压器的体积，次级绕组采用堆叠式绕法。辅输出绕组的电位参考点接vd10的负极而不是正极，目的是把高压输出的电压偏差降至最小。次级电压经过vd7～vd11、c7、c9、c11、c13、c16、c14和c17进行整流滤波。vd11为3.3v输出电路中的整流管，选用mbr1045型10a／45v的肖特基二极管，肖特基二极管适于作低压、大电流整流，利用其低压降之特性，可提高电源效率。vd10为5v输出的整流管，采用byv32200型20a／200v的超快恢复二极管。3.3v和5v输出端的两只滤波电容需作并联使用，以减小输出端的纹波电流。后置滤波器由l2～l5、c8′、c10、c12、c15和c18构成。电阻r6可防止30v绕组端在轻载时的峰值充电电流。3.3v输出经r11和r10取样后，接ic3（tl431a）的基准端，通过光耦ic2（ltv817）去调节top246y ...
波器（c1，l1，c6）并采取合理的接地措施，即可符合有关电磁兼容性的cispr2213国际标准。刚上电时，利用热敏电阻（rt）可对c2的冲击电流加以限制，防止保险丝损坏。压敏电阻（rv）的作用是吸收从电网窜入的浪涌电压。 为减小高频变压器的体积，次级绕组采用堆叠式绕法。辅输出绕组的电位参考点接vd10的负极而不是正极，目的是把高压输出的电压偏差降至最小。次级电压经过vd7～vd11、c7、c9、c11、c13、c16、c14和c17进行整流滤波。vd11为3.3v输出电路中的整流管，选用mbr1045型10a／45v的肖特基二极管，肖特基二极管适于作低压、大电流整流，利用其低压降之特性，可提高电源效率。vd10为5v输出的整流管，采用byv32200型20a／200v的超快恢复二极管。3.3v和5v输出端的两只滤波电容需作并联使用，以减小输出端的纹波电流。后置滤波器由l2～l5、c8′、c10、c12、c15和c18构成。电阻r6可防止30v绕组端在轻载时的峰值充电电流。3.3v输出经r11和r10取样后，接ic3（tl431a）的基准端，通过光耦ic2（ltv817）去调节top246y ...
就知道mbr1045不知道什么封装的你也不说 也不知道是不是型号 ...
