| 描述 | DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
|---|---|---|---|
| 技术 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 60A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 920 mV @ 60 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1 mA @ 200 V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 双塔架 |
| 供应商器件封装 | 双塔架 |
【GeneSiC Semiconductor】MBR12020CT,肖特基（二极管与整流器） 20V 120A Schottky Recovery
【GeneSiC Semiconductor】MBR12020CTR,肖特基（二极管与整流器） 20V 120A Schottky Recovery
【GeneSiC Semiconductor】MBR12030CT,肖特基（二极管与整流器） 30V 120A Schottky Recovery
【GeneSiC Semiconductor】MBR12030CTR,肖特基（二极管与整流器） 30V 120A Schottky Recovery
【GeneSiC Semiconductor】MBR12035CT,肖特基（二极管与整流器） 35V 120A Schottky Recovery
【GeneSiC Semiconductor】MBR12035CTR,肖特基（二极管与整流器） 35V 120A Schottky Recovery
