MBR20200

hild semiconductor corporation颁发 的「最佳销售表现奖」，奖项无数，备受赞誉。 目前主要代理美国福斯特first semiconductor 和韩国kec,授权分销美国安森美（onsemi）半导体，经营产品为二极管、三极管、mos管、肖特基、快恢复、可控硅，集成电路 mos管。 热卖型号：2n60 5n60 8n60 10n60 12n60 3n80 8n80 50n06 75n075,mbr10100、mbr20100、mbr1045、mbr2045、mbr20200…… ...

特基二极管的正向额定电流if.2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的最高反向击穿电压vrrm.3.应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的最高结温tjmax.4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基二极管应降额使用。5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。6.肖特基二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降vf和反向击穿电压vr、反向漏电流ir都不同。表1是mbr2040、mbr2060、mbr20100、mbr20150、mbr20200的参数比较。例如：用mbr20100代换mbr2040,虽然mbr20100的反向击穿电压比mbr2040高，似乎代换没问题。但是mbr20100的正向压降比mbr2040高，假如应用在电脑机箱电源电路中会造成+5v和+12v电压偏离正常值过多，另外功耗会比原来增大。 ...

择的是半波连接，则计算得启动电阻为880 kω，相应的功率耗散为16 mw。由此观之，半波连接大幅降低启动电阻的功率耗散。 6) 应用同步整流 次级端的高均方根电流会导致输出二极管损耗增加。我们以极低导通阻抗的mosfet mbr20h150来替代二极管，从而提升能效及降低轻载和待机时的能耗。 相应地，可以计算60 w准谐振转换器的同步整流功率损耗为：体二极管损耗(pqdiode)为7 mw，mosfet损耗(pon)为1 w，总同步整流总开关损耗近似为1 w。相比较而言，使用mbr20200二极管时的总损耗为2.6 w，即采用mosfet来替代二极管时节省损耗约1.6 w。 性能测试 基于安森美半导体ncp1380b构建的19 v、60 w准谐振适配器的电路图如图4所示。在启动时间方面，启动电阻连接至大电容时，测得启动时间为2.68 s；启动电阻连接至半波时，测得启动时间为2.1 s。 图4：基于安森美半导体ncp1380准谐振控制器的60 w适配器电路图。 另外，我们也测试了这电路板在115 vrms和230 vrms条件下不同负载时的能效，参见表1。通过 ...

采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。 肖特基对管又有： 共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和 串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。 采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有 a~19 种管脚引出方式。 3、常用的肖特基二极管 常用的有引线式肖特基二极管，1n5817、1n5819、mbr1045、mbr20200 等型号。也就是常说的插件封装。 常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为"ss"? schottky:取第一个字母"s", smd:surface mounted devices 的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母"s", 上面两个词组各取第一个字母、即为 ss, 电流最小的肖特基是bat42（0.2a）；bat54、bat54a、bat54c（0.3a）； 电流最大的肖特基是440a,如：440cmq030、444cnq045;超过44 ...