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  • MBR20H100CT

MBR20H100CT

描述DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-220AB电流 - 在 Vr 时反向漏电4.5?A @ 100V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)10A电压 - (Vr)(最大)100V
反向恢复时间(trr)-二极管类型肖特基
速度快速恢复 = 200mA(Io)二极管配置1 对共阴极
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB包装管件
其它名称MBR20H100CTOS

“MBR20H100CT”电子资讯

  • 半导体分立器件:国际厂商主导下的市场风向标

    片连接中,禁止使用含铅软焊料,并限制使用任何焊球。”但在对于应用于汽车等领域的分立功率器件来说,很难达到完全无铅且可靠。时下,只有少数无铅软焊料能够替代含铅焊料进行基片连接,这对分立功率器件厂商是个挑战。 为了应对挑战,安森美不断推出新品,满足客户需要。据了解,安森美最新推出的分立器件包括h系列肖特基整流器、超微封装sod723的静电放电(esd)保护二极管和低vce(sat)双极结晶体管(bjt)。其中,h系列高压通用单片式双裸片to220封装的肖特基整流器(如:mbr10h100ct、mbr20h100ct、mbr41h100ct、mbr60h100ct),具有低正向导通电压、高浪涌的性能,优点是优异分享电流、更低的正向功耗和更低的转换功耗,适用于开关电源(smps)的输出整流。 而安森美超微封装sod723的eds保护二极管的pcb占位面积仅为1.4mmx0.6mm,高度最高只为0.5mm,超越了esd保护的最高标准;能提供3.3v、5.0v和12v的分立电压,电容为60pf,适用于无线应用领域(如手机、pda手机)、消费电子(如数字相机、dv摄录影机、pda、mp3)和一般通用低压或低分 ...

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