描述 | DIODE SCHOTTKY 50V 3A C-16 | 电压 - (Vr)(最大) | 50V |
---|---|---|---|
电流 - 平均整流 (Io) | 3A | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) | 730mV @ 3A |
速度 | 快速恢复 = 200mA(Io) | 反向恢复时间(trr) | - |
电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 600?A @ 50V | 电容@ Vr, F | - |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | C-16,轴向 |
供应商设备封装 | C-16 | 包装 | 散装 |
其它名称 | *MBR350VS-MBR350VS-MBR350-NDVSMBR350VSMBR350-ND |
的大冲击电流的产生,方法是通过向外接软启动电容css充电。软启动时间tss与css及充电电流iss的关系为: t ss=c ss×0.6v/ iss (5) 一般t ss取3ms,i ss的典型值为9μa,则c ss可取47nf。 结束语 在实际使用中,只要按输出电压来计算r fb1(3)及r fb2(4),其它元器件可按图1、2的参数选择即可,不必一一计算。例如,图中d1、d2肖特基二极管用的型号mbrs240是耐压40v、额定正向整流电流是2a的。若此器件找不到,mbr350(额定正向整流电流是3a,耐压50v)也可代用。输入、输出电容的纹波电流按30%i out(max)来估算,选电容器的允许纹波电流大于30%i out(max)的即可;另外,选esr≤50mω的为好。 ...
流的产生,方法是通过向外接软启动电容css充电。软启动时间tss与css及充电电流iss的关系为:t ss=c ss×0.6v/ iss (5) 一般t ss取3ms,i ss的典型值为 9μa,则c ss可取47nf。 结束语 在实际使用中,只要按输出电压来计算r fb1(3)及r fb2(4),其它元器件可按图1、2的参数选择即可,不必一一计算。例如,图中d1、d2肖特基二极管用的型号mbrs240是耐压40v、额定正向整流电流是2a的。若此器件找不到,mbr350(额定正向整流电流是3a,耐压50v)也可代用。输入、输出电容的纹波电流按30%i out(max)来估算,选电容器的允许纹波电流大于30%i out(max)的即可;另外,选esr≤50mω的为好。 ...
大冲击电流的产生,方法是通过向外接软启动电容css充电。软启动时间tss与css及充电电流iss的关系为: t ss=c ss×0.6v/ iss (5) 一般t ss取3ms,i ss的典型值为 9μa,则c ss可取47nf。 结束语 在实际使用中,只要按输出电压来计算r fb1(3)及r fb2(4),其它元器件可按图1、2的参数选择即可,不必一一计算。例如,图中d1、d2肖特基二极管用的型号mbrs240是耐压40v、额定正向整流电流是2a的。若此器件找不到,mbr350(额定正向整流电流是3a,耐压50v)也可代用。输入、输出电容的纹波电流按30%i out(max)来估算,选电容器的允许纹波电流大于30%i out(max)的即可;另外,选esr≤50mω的为好。<!-- zhenwei20060814150219.gif zhenwei20060814150329.jpg zhenwei20060814150417.gif zhenwei20060814150450.gif zhenwei20060814150524.gif ...