| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
|---|---|---|---|
| 技术 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 300A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 580 mV @ 300 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3 mA @ 30 V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 双塔架 |
| 供应商器件封装 | 双塔架 |
【GeneSiC Semiconductor】MBR60030CTR,肖特基（二极管与整流器） SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 30P/21R
【GeneSiC Semiconductor】MBR60035CT,肖特基（二极管与整流器） SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 35P/25R
【GeneSiC Semiconductor】MBR60035CTR,肖特基（二极管与整流器） SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 35P/25R
【GeneSiC Semiconductor】MBR60040CT,肖特基（二极管与整流器） 40V 600A Schottky Recovery
