描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 150A 3 TOWER | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
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技术 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 30 V |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 150A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 580 mV @ 150 A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | - |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3 mA @ 30 V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 三塔 |
供应商器件封装 | 三塔 |
【GeneSiC Semiconductor】MBRT30030R,肖特基(二极管与整流器) SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A 30P/21R
【GeneSiC Semiconductor】MBRT30035,肖特基(二极管与整流器) 35V 300A Schottky Recovery
【GeneSiC Semiconductor】MBRT30035R,肖特基(二极管与整流器) 35V 300A Schottky Recovery
【GeneSiC Semiconductor】MBRT30040,肖特基(二极管与整流器) 40V 300A Schottky Recovery