| 描述 | TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 200mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大 | 150mW | 频率 - 转换 | 300MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MBT3904DW2T1OS |
【ON Semiconductor】MBT3904DW2T1G,TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88
【ON Semiconductor】MBT3906DW1T1,TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363
【ON Semiconductor】MBT3906DW1T1G,TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88
【ON Semiconductor】MBT3946DW1T1,TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363
【ON Semiconductor】MBT3946DW1T1G,TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88
【ON Semiconductor】MBT3946DW1T2,Transistors Bipolar (BJT) 200mA 40V Dual
【ON Semiconductor】MBT3946DW1T2G,TRANS GP DUAL 200MA 40V SOT-363