您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > mbt6429dw1t1
  • MBT6429DW1T1

MBT6429DW1T1

描述TRANS DUAL NPN 200MA 40V SOT-363电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)45VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)100nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)500 @ 100?A,5V
功率 - 最大150mW频率 - 转换700MHz
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363包装带卷 (TR)

mbt6429dw1t1的相关型号: