| 描述 | IGBT GATE DRIVE IC | Digi-Key Programmable | Not Verified |
|---|---|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 单路 |
| 驱动器数 | 1 | 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 3.3V | 逻辑电压?- VIL，VIH | - |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 15A，15A | 输入类型 | - |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | - | 上升/下降时间（典型值） | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 32-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽） | 供应商器件封装 | 32-SOIC |
