描述 | Interface | FET 类型 | N 通道 |
---|---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8 欧姆 @ 10mA,4V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13 pF @ 5 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 150mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-723 |
封装/外壳 | SOT-723 |