| 描述 | N+P-CHANNELMOSFETEFFECTSOT-363 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V，50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 340mA，180mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V，8 欧姆 @ 100mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA，2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40pF，30pF @ 10V，5V |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
【Freescale Semiconductor】MC7410TVU400LE,MPU RISC 32BIT 360-CBGA
【Freescale Semiconductor】MC7410VU400LE,IC MPU RISC 32BIT 360-FCCBGA
【Freescale Semiconductor】MC7410VU400NE,IC MPU RISC 32BIT 360-FCCBGA
【Freescale Semiconductor】MC7410VU450NE,IC MPU RISC 32BIT 360-FCCBGA
【Freescale Semiconductor】MC7410VU500LE,IC MPU RISC 32BIT 360-FCCBGA