描述 | P-CHANNEL MOSFET,D2-PAK | FET 类型 | P 通道 |
---|---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.4 毫欧 @ 20A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 88 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±18V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5810 pF @ 30 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 125W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |