| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 30V 200MA MCPH6 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10.4 欧姆 @ 50mA，4V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.43nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 7.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 | 供应商设备封装 | 6-MCPH |
| 包装 | 带卷 (TR) |
