| 描述 | MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A，4.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 12nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 630pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | - | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | DFN2020-6U |
