| 描述 | MCQ3779-TP | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A，4A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130 毫欧 @ 5A，10V，200 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 15.5nC @ 10V，25nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 690pF @ 25V，1055pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
