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MCT5210_Q

描述高速光耦合器 DIP-6 PHOTO TRANS最大输入二极管电流50 mA
最大功率耗散260 mW最大工作温度+ 100 C
最小工作温度- 55 C封装 / 箱体PDIP-6
封装Bulk输入类型DC
绝缘电压5300 Vrms输出设备Phototransistor

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