描述 | MOSFET P-CH DUAL | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 个 P 沟道(双) | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 660mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 700 毫欧 @ 660mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 2.5nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 175pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 150mW | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |