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  • MG12150D-BA1MM

MG12150D-BA1MM

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
产品属性
描述IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3IGBT 类型-
配置半桥电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)210 A功率 - 最大值1100 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)1.8V @ 15V,150A(标准)电流 - 集电极截止(最大值)1 mA
不同?Vce 时输入电容 (Cies)11 nF @ 25 V输入标准
NTC 热敏电阻工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型底座安装封装/外壳模块
供应商器件封装D3

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