| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 1.2A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 140pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 420mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | MGSF1N03LT1GOSMGSF1N03LT1GOS-NDMGSF1N03LT1GOSTR |
产品型号:mgsf1n03lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):145最大漏极电流id(on)(a):2.100通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:2.1a,30v,sot223,n沟道功率mosfet价格/1片(套):￥1.60 来源:xiangxueqin ...
