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MHE1003NR3

产品属性

描述	RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO	技术	LDMOS
配置	-	频率	2.4GHz ~ 2.5GHz
增益	14.1dB	电压 - 测试	28 V
额定电流（安培）	10μA	噪声系数	-
电流 - 测试	50 mA	功率 - 输出	53dBm
电压 - 额定	65 V	安装类型	表面贴装型
封装/外壳	OM-780-2	供应商器件封装	OM-780-2

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