| 工作温度范围 | -65°C 到 +200°C | 封装类型 | TO-3 |
|---|---|---|---|
| 针脚数 | 2 | SVHC(高度关注物质) | No SVHC (18-Jun-2012) |
路 元器件选择 r1选用8～1ow的线绕电阻器；r2～r4均选用1／4w金属膜电阻器。 rp1选用2＼7合成膜电位器；rp2选用小型有机实心电位器。 c1和c2均选用耐压值为630v的铝电解电容器；c3选用耐压值为3001／以上的铝电解电容器；c4选用耐压值为16v的铝电解电容器；c5选用独石电容器。 vd1和vd2均选用1n5408型硅整流二极管；vd5和vd6均选用1n4007型硅整流二极管；vd3和vd4均选用1n4148型硅开关二极管。 v1和v2选用mj10016或bu932、mj10025型硅npn大林顿晶体管。 k选用jtx系列12v直流继电器（两组常开触头并联使用）。 s选用触头电流负荷为10a以上的电源开关。 t1使用e12型磁心和高强度漆包线制作：w1绕组用φ0.31mm的漆包线绕200匝，w2绕组和w3绕组用φ0.62mm的漆包线各绕40匝；t2使用40mm×40mm的e型铁心和高强度漆包线制作，w4和w5绕组用φ1.8mm的漆包线各绕16匝，w6绕组用φ0.8mm的漆包线绕150匝左右。 gb选用12v、60a·h的 ...
