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  • MJB45H11T4

MJB45H11T4

描述Transistors Bipolar (BJT) 8A 80V 50W PNP最大直流电集电极电流10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min60配置Single
最大工作频率40 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-263-3 (D2PAK)
封装Reel集电极连续电流10 A
最小工作温度- 55 C功率耗散50 W
工厂包装数量800

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