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  • MJD122

MJD122

描述Transistors Darlington 8A 100V Bipolar发射极 - 基极电压 VEBO5 V
集电极—基极电压 VCBO100 V最大直流电集电极电流8 A
最大集电极截止电流10 uA功率耗散20 W
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252-3 (DPAK)封装Tube
集电极连续电流8 A直流集电极/Base Gain hfe Min100, 1000
最小工作温度- 65 C工厂包装数量75

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