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MJD200TF

描述Transistors Bipolar (BJT)直流集电极/Base Gain hfe Min45 at 2 A at 1 V
配置Single最大工作频率65 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体DPAK封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散1400 mW

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