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  • MJD32BT4

MJD32BT4

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch直流集电极/Base Gain hfe Min25
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252封装Reel
功率耗散15000 mW工厂包装数量2500

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