| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 30 at 0.3 A at 4 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作频率 | 3 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | DPAK | 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 1750 mW |
【ON Semiconductor】MJD44E3T4,Transistors Darlington 10A 80V 20W NPN
【ON Semiconductor】MJD44E3T4G,TRANS PWR DARL NPN 10A 80V DPAK
【ON Semiconductor】MJD44H11,Transistors Bipolar (BJT) 8A 80V 20W NPN
【ON Semiconductor】MJD44H11-001,TRANS PWR NPN 8A 80V STR IPAK
【ON Semiconductor】MJD44H11-1G,TRANS POWER NPN 8A 80V STR IPAK
