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MKI50-12F7

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 配置:全桥反相器
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开)3.8V @ 15V,50A电流 - 集电极 (Ic)(最大)65A
电流 - 集电极截止(最大)700?AVce 时的输入电容 (Cies)3.3nF @ 25V
功率 - 最大350W输入标准型
NTC 热敏电阻安装类型底座安装
封装/外壳E2供应商设备封装E2

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