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  • MMBF170LT1

MMBF170LT1

描述MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 200mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds60pF @ 10V
功率 - 最大225mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)其它名称MMBF170LT1OSTR

“MMBF170LT1”技术资料

  • MMBF170LT1的技术参数

    产品型号:mmbf170lt1源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):-最大漏极电流id(on)(a):0.500通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.5a,60v,sot223,n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥.60 来源:xiangxueqin ...

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