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  • MMBF2202PT1G

MMBF2202PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 20V 300MA SOT323FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.2 欧姆 @ 200mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs2.7nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 5V
功率 - 最大150mW安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
包装带卷 (TR)其它名称MMBF2202PT1GOSMMBF2202PT1GOS-NDMMBF2202PT1GOSTR

“MMBF2202PT1G”技术资料

  • MMBF2202PT1G的技术参数

    产品型号:mmbf2202pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.500最大漏极电流id(on)(a):0.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.3a,20v,sot223,p沟道功率mosfet价格/1片(套):¥1.10 来源:xiangxueqin ...

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